Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 > Wyszukiwanie "moduł"

  moduł  (76 252 ofert spośród 4 916 625 artykułów)

Podobne słowa kluczowe o zoptymalizowanej liście wyników.:
Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „moduł“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA176D 22890435
od PLN 1 284,21*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 65A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E3-Pack Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 65A Prąd kolektora w impulsie: 150A Zastoso...
IXYS
MUBW75-06A8
od PLN 341,29*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 200A Zastoso...
IXYS
MDI150-12A4
od PLN 253,77*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 67A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 67A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GT120JRDQ4
od PLN 252,53*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,3kA; SPT+ (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: STAKPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 1,3kA Prąd kolektora w impulsie: 2,6kA ...
ABB
5SNA 1300K450300
od PLN 20 916,37*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck-boost chopper,termistor NTC (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS5 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GARL066T 21915260
od PLN 1 092,10*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 140A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 300A Zastos...
IXYS
VUB120-16NOX
od PLN 300,91*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GN120JDQ4
od PLN 227,41*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 4,5kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: STAKPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3kA Prąd kolektora w impulsie: 6kA Mont...
ABB
5SNA 3000K452300
od PLN 30 507,86*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; falownik 3-poziomowy 1-fazowy (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS5 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200MLI066TAT 21917820
od PLN 1 586,39*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GAR12F4G 22896160
od PLN 511,43*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 79A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60GF120JRD
od PLN 304,48*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 100A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT200GT60JR
od PLN 190,91*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; falownik 3-poziomowy 1-fazowy (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SKiM4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 9...
SEMIKRON DANFOSS
SKIM301MLI12E4 23918880
od PLN 1 772,18*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 175A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 175A Prąd kolektora w impulsie: 450A Zastos...
IXYS
VUB160-16NOX
od PLN 348,68*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   3821   3822   3823   3824   3825   3826   3827   3828   3829   3830   3831   ..   5084   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.