Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 959 ofert spośród 4 920 363 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A...
Infineon
FF200R12KT3EHOSA1
od PLN 407,27*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 250 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW25N120CS7XKSA1
od PLN 16,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GB176D 22890855
od PLN 419,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 231 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 231 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li...
Infineon
IHW25N120E1XKSA1
od PLN 8,367*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 kanał: N 160 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 160 W Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż...
Infineon
FP25R12KT4BPSA1
od PLN 368,209*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 75A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX®13 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX71GD12E4S 27890190
od PLN 473,83*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Moduł PIM IGBT Infineon 25 A ma kompaktową konstrukcję i wykorzystuje technologię kontaktową PRESSFIT. Ma niskie napięcie stanu VCESAT.Praca z przeciążeniem do 175°C. Izolacja 2.5 kV AC 1 min Podło...
Infineon
FP25R12W2T7B11BPSA1
od PLN 169,292*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 14A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 14A Prąd kolektora w impulsie: 2...
Powersem
PSII 15/12
od PLN 104,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EasyPIM Typ kanału = N Liczba s...
Infineon
FP25R12W2T7B11BPSA1
od PLN 2 698,43505*
za 15 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GB066D 22890052
od PLN 315,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: Dwukierunkowe 340 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 340 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
ST Microelectronics
STGWA25IH135DF2
od PLN 10,04*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GB17E4 22895030
od PLN 289,87*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek H; Urmax: 600V; Ic: 17A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 17A Prąd kolektora w impulsie: 3...
Powersem
PSHI 25/06
od PLN 75,16*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 32,5 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Maksymalna strata mocy = 32,5 W Typ opakowania = PG-TO220 Typ kanału = N ...
Infineon
IKA10N65ET6XKSA2
od PLN 5,762*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 27A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS6 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM25GD125D 21918000
od PLN 579,66*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.