Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 954 ofert spośród 4 918 537 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 220 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EasyPACK Typ kanału = N ...
Infineon
F3L400R10W3S7FB11BPSA1
od PLN 751,699*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 98A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Moc...
IXYS
IXXN200N60C3H1
od PLN 124,80*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 375 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
onsemi
FGH75T65SQDNL4
od PLN 21,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 900V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w i...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90JDQ2
od PLN 187,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
3-pozioniowy moduł IGBT Infineon 400A charakteryzuje się bardzo niskimi stratami przełączania i miękkim wyłączaniem. Spełnia odpowiednie normy 1500V falownika PV. Zapewnia wystarczającą odległość p...
Infineon
F3L400R10W3S7FB11BPSA1
od PLN 569,466*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 118A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GB12T4G 22892030
od PLN 417,46*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EasyPIM Typ kanału = N Liczba s...
Infineon
FP25R12W2T7B11BPSA1
od PLN 2 701,8351*
za 15 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GB12T4 22892000
od PLN 189,58*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-3PFM Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65DGVC11
od PLN 21,122*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 110A Prąd kolektora w impulsie: 470A Mo...
IXYS
IXXN110N65C4H1
od PLN 103,56*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
od PLN 4 272,561*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A...
Infineon
FF200R12KT3EHOSA1
od PLN 411,76*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N (1 Oferta) 
Pojedynczy IGBT do 20A, Infineon. Zoptymalizowane układy IGBT przeznaczone do zastosowań w średnich częstotliwościach z szybką reakcją, zapewniające użytkownikowi najwyższą dostępną wydajność. Urzą...
Infineon
IRG4BC30WPBF
od PLN 204,82*
za 50 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 25 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: Dwukierunkowe 340 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 340 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
ST Microelectronics
STGWA25IH135DF2
od PLN 12,749*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: HUAJING Obudowa: V1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 200A Zas...
HUAJING
HFGM100D12V1
od PLN 155,36*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.