Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 959 ofert spośród 4 920 363 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
od PLN 4 267,323*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 110A Prąd kolektora w impulsie: 650A Mo...
IXYS
IXXN110N65B4H1
od PLN 101,93*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 2 ECOPACK kanał: NPN 714 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = Montaż p...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
od PLN 60,555*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 118A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GB12T4G 22892030
od PLN 414,22*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 85 W Typ opakowania = TO-3PFM Typ montażu = Otw...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65DGVC11
od PLN 21,102*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 247 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 247 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu = Monta...
Vishay
VS-GT100TS065S
od PLN 299,176*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 60A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITOP4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SK 50 GD 12T4 T 24914940
od PLN 336,03*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 85 W Typ opakowania = TO-3PFM Typ montażu = Otw...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
od PLN 14,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 900V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w i...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90JDQ2
od PLN 183,52*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 85 W Typ opakowania = TO-3PFM Typ montażu = Otw...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
od PLN 6 514,9335*
za 450 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 247 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 247 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ...
Vishay
VS-GT100TS065S
od PLN 283,131*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GB12V 22892013
od PLN 333,15*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 231 W (2 ofert) 
Seria Infineon IHW z odwróconymi diodami IGBT 1200 V, 25 A z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247, skupiającym się na wydajności i niezawodności systemu dla wymagających wymagań gotow...
Infineon
IHW25N120E1XKSA1
od PLN 7,645*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 70A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 18,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 70A Prąd ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 26AC12T4V1 25231400
od PLN 809,92*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW25N120CS7XKSA1
od PLN 18,794*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.