Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 959 ofert spośród 4 920 363 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
od PLN 9,375*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 11kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd ko...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24AC126V1 25230080
od PLN 596,54*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 1200 V PG-TO247-3 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IHW20N120R5XKSA1
od PLN 8,631*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 95A Prąd kolektora w impulsie: 600A Mo...
IXYS
IXGN100N170
od PLN 222,79*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 1899-12-31 06:00:00 Uce 600 V 1 TO-263 kanał: N 88 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1899-12-31 06:00:00 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 88 W Typ opakowania = TO-263 Typ...
Infineon
IKB06N60TATMA1
od PLN 2,633*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; D59 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA125D 21915560
od PLN 1 265,34*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 1899-12-31 08:00:00 Uce 650 V 1 TO-220 kanał: N 70 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1899-12-31 08:00:00 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 70 W Typ opakowania = TO-...
Infineon
IKP08N65H5XKSA1
od PLN 4,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GB12V 22892003
od PLN 227,83*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (1 Oferta) 
Wytrzymałe tranzystory IGBT firmy STMicroelectronics do zwarć łączą w sobie nowe funkcje kontroli ICS firmy ST z odporną na zwarcia bramką do rowów z ogranicznikiem polowym IGBT, co czyni je przyda...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-LZ
od PLN 80,29*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS6 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GD125D 21918010
od PLN 853,10*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
od PLN 3 944,034*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 750A M...
IXYS
IXYN150N60B3
od PLN 143,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 193 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 193 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ...
Vishay
VS-GT200TS065N
od PLN 341,905*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 2,2 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 5,1 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 5,1 W Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN01N60RC2ATMA1
od PLN 1,073*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 172A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB12T4G 22892050
od PLN 586,26*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.