Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 954 ofert spośród 4 919 685 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIPONT6 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SKDH116/12-L140 07916730
od PLN 1 633,49*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIPONT6 Napięcie wsteczne maks.: 1,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impul...
SEMIKRON DANFOSS
SKDH146/16-L140 07916760
od PLN 1 999,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIPONT6 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impul...
SEMIKRON DANFOSS
SKDH146/12-L140 07916750
od PLN 1 795,36*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-U Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Cena jednostkowa: Nie M...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50U12GJ
od PLN 79,00*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 180A Prąd kolektora w impulsie: 300A Zas...
IXYS
VVZB120-16IOX
od PLN 327,12*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 800V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIPONT6 Napięcie wsteczne maks.: 0,8kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impul...
SEMIKRON DANFOSS
SKDH116/08-L105 07916680
od PLN 1 484,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIPONT6 Napięcie wsteczne maks.: 1,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impul...
SEMIKRON DANFOSS
SKDH116/16-L105 07916700
od PLN 1 653,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA126D 22890405
od PLN 1 230,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 3 Napięcie wsteczne maks.: 1,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39AHB16V3 25231180
od PLN 811,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12E4 22892124
od PLN 614,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,6kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIPONT6 Napięcie wsteczne maks.: 1,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SKDH116/16-L140 07916740
od PLN 1 706,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GF120JRD
od PLN 201,46*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 1 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12HEB066V1 25230840
od PLN 126,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GA12T4 22892100
od PLN 678,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; GJ-UZ (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-UZ Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impu...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100UZ12GJ
od PLN 78,91*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   211   212   213   214   215   216   217   218   219   220   221   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.