Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 960 ofert spośród 4 908 022 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; półmostek IGBT x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2,4kA Prąd ...
ABB
5SNA 2400N170300
od PLN 5 147,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; bocznik prądowy; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E3-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Prąd kolektora: 233A Montaż elektryczny: Press-in PCB Montaż mechaniczny: przykręcany...
IXYS
MIXG240W1200PZTEH
od PLN 1 031,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 79A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60GF120JRDQ3
od PLN 463,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GP60JDQ3
od PLN 168,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; półmostek IGBT x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 800A; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 800A Prąd k...
ABB
5SNA 0800J450300
od PLN 6 176,81*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; bocznik prądowy; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3p Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX303GB12E4I50P 27897007
od PLN 1 624,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT85GR120JD60
od PLN 165,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 900V; Ic: 32A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 900V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 32A Prąd kolektora w i...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90J
od PLN 161,22*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; półmostek IGBT x3; Urmax: 1,7kV; Ic: 3,6kA; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3,6kA Prąd ...
ABB
5SNA 3600E170300
od PLN 7 193,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; falownik 3-poziomowy TNPC (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SKiM4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKIM301TMLI12E4B 23918960
od PLN 1 571,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 90A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 90A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT150GT120JR
od PLN 258,77*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; półmostek IGBT x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 1,6kA; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 1,6kA Prąd ...
ABB
5SNA 1600N170100
od PLN 4 358,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; półmostek IGBT x3; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,2kA; HIPAK; SPT+ (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 1,2kA Prąd ...
ABB
5SNA 1200G450300
od PLN 7 608,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; falownik 3-poziomowy TNPC (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SKiM4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKIM401TMLI12E4B 23918950
od PLN 1 877,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: STAKPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2kA Prąd kolektora w impulsie: 4kA Mont...
ABB
5SNA 2000K452300
od PLN 19 257,87*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   211   212   213   214   215   216   217   218   219   220   221   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.