Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 891 ofert spośród 4 775 076 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 400A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL07E3 22895552
od PLN 649,36*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 83A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 83A Prąd kolektora w impulsie: 200A Z...
Powersem
PSSI 130/06
od PLN 78,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX1S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAR12E4S 27890104
od PLN 531,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAR12F4 22896030
od PLN 250,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L3.0 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PJX65L3S
od PLN 165,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: F1.1 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65F1S
od PLN 103,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 450A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3s Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAR12E4S 27890142
od PLN 1 291,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 12A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E1-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 30A Zastosow...
IXYS
MIXA10WB1200TML
od PLN 84,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 400A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX402GAR066HDS 27891106
od PLN 888,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: F1.1 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65F1S
od PLN 107,81*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GT120JU3
od PLN 165,92*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 60A Zastosow...
IXYS
MUBW15-12T7
od PLN 159,52*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3p Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GAR12E4P 27895040
od PLN 1 977,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: C5 45mm Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impu...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PIX65C5S
od PLN 231,37*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 200A Zastoso...
IXYS
MDI150-12A4
od PLN 254,13*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   191   192   193   194   195   196   197   198   199   200   201   ..   260   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.