Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 8A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKIIP11NAB12T4V1
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKIIP 11NAB12T4V1 25231580
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: MiniSKiiP® 1
Moc: 4kW
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 8A
Prąd kolektora w impulsie: 24A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;półmostek IGBT x3;termistor NTC;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 266,06*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 389,06*
PLN 478,54
za szt.
od 2 szt.
PLN 383,23*
PLN 471,37
za szt.
od 3 szt.
PLN 338,65*
PLN 416,54
za szt.
od 5 szt.
PLN 326,04*
PLN 401,03
za szt.
od 8 szt.
PLN 292,67*
PLN 359,98
za szt.
od 10 szt.
PLN 291,81*
PLN 358,93
za szt.
od 500 szt.
PLN 266,06*
PLN 327,25
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.