Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 954 ofert spośród 4 918 537 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 21A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 23ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT15GP90BDQ1G
od PLN 25,41*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 4500 V. 3 AG-IHVB190 4000 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 4500 V. Liczba tranzystorów = 3 Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
FZ1800R45HL4BPSA1
od PLN 8 547,786*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT64GA90B2D30
od PLN 50,49*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V Moduł 355 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = ...
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
od PLN 6 148,74*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
AUIRGSL4062D1
od PLN 14,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na panelu Typ kanału = N Konfiguracja tranzys...
Mitsubishi
PM100CG1B120300G
od PLN 1 647,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: ...
IXYS
IXGH6N170A
od PLN 33,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie
onsemi
NFVA22512NP2T
od PLN 299,038*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP90BG
od PLN 37,00*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 10 Uce 600 V 6 Moduł PowerDIP 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Inteligentny moduł zasilania Mitsubishi Electric 10 A, 600 V z dwoma obwodami ma 6 zestaw złączy ze sterownikiem. Steruje on zasilaniem pod napięciem i zabezpieczeniem przed zwarciem. Zastosowano 3...
Mitsubishi
PSS10S92F6-AG
od PLN 562,54*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GA90LD40
od PLN 60,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V 2 94x34mm Dwa 775 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 775 W Typ opakowania = 94x34mm Konfiguracja tra...
Mitsubishi
CM100DY-13T300G
od PLN 363,236*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1,2kV; 15A; 127W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas wyłączania: 346n...
Infineon
IHW15N120R3FKSA1
od PLN 7,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 101 A Uce 1000 V 2 Q2BOOST - Case 180BR (styki lutowe bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 101 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2SG
od PLN 527,241*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 75A; 780W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 530A Czas załączania: 280ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXGK75N250
od PLN 419,61*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.