| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) ON Semiconductor NFVA25012NP2T to Advanced Auto IPM, który zapewnia w pełni funkcjonalny, wysokowydajny stopień wyjściowy falownika dla pojazdów hybrydowych i elektrycznych.Wbudowany termistor NTC ... |
|
od PLN 322,67* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 50A Czas załączania: 21ns ... |
Microchip Technology APT13GP120BDQ1G |
od PLN 34,98* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 560,91* za 10 szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 117 A Uce 650 V Moduł 300 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 117 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 300 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M... |
Infineon F3L100R07W2E3B11BOMA1 |
od PLN 3 759,3651* za 15 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 43ns ... |
Microchip Technology APT40GP90BG |
od PLN 67,04* za szt. |
|
|
|
Infineon TDB6HK180N16RRB11BPSA1 |
od PLN 8 139,17505* za 15 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 170A Czas załączania: 47ns C... |
Microchip Technology APT45GP120B2DQ2G |
od PLN 98,03* za szt. |
|
|
|
Infineon FF1500R17IP5BPSA1 |
od PLN 3 294,466* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36ns C... |
Microchip Technology APT35GP120B2D2G |
od PLN 81,88* za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 515 W |
Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 |
od PLN 661,008* za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 140 A Uce 1200 V 6 480 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 140 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 480 W |
|
od PLN 764,658* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns ... |
Microchip Technology APT80GA90B |
od PLN 46,17* za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) ON Semiconductor NFAQ0860L33T to w pełni zintegrowany stopień mocy falownika, składający się z wysokonapięciowego sterownika, sześciu IGBT i termistora, który może być stosowany do napędzanie silni... |
|
od PLN 36,63* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 102A Prąd kolektora w impulsie: 307A Czas załączania: 64ns C... |
Microchip Technology APT102GA60B2 |
od PLN 62,23* za szt. |
|
|
|
Infineon FZ1600R33HE4BPSA1 |
od PLN 5 930,492* za szt. |
|
|