Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 117 A Uce 650 V Moduł 300 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2737362
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     F3L100R07W2E3B11BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 117 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 300 W
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
117 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
300 W
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2737362, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, F3L100R07W2E3B11BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3 765,825*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 15 szt. (od PLN 251,055* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 4 321,8501*
PLN 5 315,87562
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 4 294,09005*
PLN 5 281,73076
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 4 214,05005*
PLN 5 183,28156
za opakowanie
od 7 opakowania
PLN 3 862,875*
PLN 4 751,33625
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 3 822,0651*
PLN 4 701,14007
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 3 765,825*
PLN 4 631,96475
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.