Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (338 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 72A; SP4; konektory FASTON; 416W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Moc rozpraszana: 416W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60AM35SCTG
od PLN 539,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Obudowa: PIM20 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 149A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 352W Montaż elektryc...
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
od PLN 677,619*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -100V; -210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc roz...
IXYS
IXTN210P10T
od PLN 158,48*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -200V; -106A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozp...
IXYS
IXTN120P20T
od PLN 175,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN40P50P
od PLN 108,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -600V; -32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN32P60P
od PLN 121,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 34A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...
IXYS
IXFN40N110P
od PLN 144,10*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 35A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...
IXYS
IXFN40N110Q3
od PLN 132,93*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 110A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przew...
DACO Semiconductor
DACMI160N1200
od PLN 536,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 125A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 125A Rezystancja w stanie przew...
DACO Semiconductor
DACMI200N1200
od PLN 1 316,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F120J
od PLN 139,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 12A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT19M120J
od PLN 193,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12080JVFR
od PLN 206,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Moc rozpr...
IXYS
IXTN17N120L
od PLN 212,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 17A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 670mΩ Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12067JFLL
od PLN 195,67*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.