Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (338 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 58A; ISOTOP; przykręcany; 595W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JFLL
od PLN 270,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 58A; ISOTOP; przykręcany; 595W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JLL
od PLN 286,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 62A; ISOTOP; przykręcany; 700W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JVR
od PLN 336,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N60P3
od PLN 88,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60Q3
od PLN 193,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 70A; ISOTOP; przykręcany; 600W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpraszana: 600...
ST Microelectronics
STE70NM60
od PLN 138,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 70A; ISOTOP; przykręcany; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M60JLL
od PLN 388,09*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 70A; ISOTOP; przykręcany; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M60JFLL
od PLN 394,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 72A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60P
od PLN 121,46*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 77A; ISOTOP; przykręcany; 568W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 77A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60JC3
od PLN 158,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN110N60P3
od PLN 112,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Polaryzacja: unipo...
DACO Semiconductor
DAMI330N60
od PLN 106,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 400A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1mΩ Polaryzacja: unipo...
DACO Semiconductor
DAMI500N60
od PLN 126,24*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 500A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 500A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9mΩ Polaryzacja: unipo...
DACO Semiconductor
DAMI660N60
od PLN 154,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 600A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 600A Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: przykręcany Mon...
DACO Semiconductor
DAMIA800N60
od PLN 279,80*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.