Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 820A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 820A Polaryzacja: unipolarny Cena jednostkowa: Nie Montaż elektr...
DACO Semiconductor
DAMIA1100N60
od PLN 303,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 900A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 900A Polaryzacja: unipolarny Cena jednostkowa: Nie Montaż elektr...
DACO Semiconductor
DAMIA1200N60
od PLN 315,86*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 108A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 220ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN120N65X2
od PLN 170,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 145A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 145A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN150N65X2
od PLN 176,576*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 170A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN170N65X2
od PLN 161,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 55,7A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 55,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 4...
ST Microelectronics
STE88N65M5
od PLN 129,90*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 76A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN102N65X2
od PLN 97,87*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 78A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N65X2
od PLN 108,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 90A; ISOTOP; przykręcany; 679W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Moc rozpraszana: 679...
ST Microelectronics
STE145N65M5
od PLN 174,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 70V; 340A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 70V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozprasz...
IXYS
IXFN340N07
od PLN 173,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 75V; 225A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 206ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 225A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Moc rozprasz...
IXYS
IXTN240N075L2
od PLN 186,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 75V; 480A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 480A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN520N075T2
od PLN 100,81*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 19A; ISOTOP; przykręcany; 543W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT29F80J
od PLN 146,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 20A; ISOTOP; przykręcany; 543W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT32M80J
od PLN 135,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 25A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030JVFR
od PLN 166,51*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.