Moduły tranzystorowe MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 11/23)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 175A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 175A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M11JVR

od PLN 293,68*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 176A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 176A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M11JLL

od PLN 289,62*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 176A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M11JFLL

od PLN 324,68*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 180A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewo...

DACO Semiconductor

DAMI220N200

od PLN 118,96*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 190A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 190A Polaryzacja: unipolarny Mon...

DACO Semiconductor

DAMIA320N200

od PLN 285,67*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewo...

DACO Semiconductor

DAMI280N200

od PLN 195,73*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN230N20T

od PLN 126,07*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Polaryzacja: unipolarny Mon...

DACO Semiconductor

DAMIA380N200

od PLN 298,66*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 260A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 260A Polaryzacja: unipolarny Mon...

DACO Semiconductor

DAMIA440N200

od PLN 315,12*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 172ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN300N20X3

od PLN 181,69*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Polaryzacja: unipolarny Mon...

DACO Semiconductor

DAMIA500N200

od PLN 328,25*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 97A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 97A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Moc rozpraszana: ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22JVR

od PLN 133,73*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 146A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 146A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN170N25X3

od PLN 116,09*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 168A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 168A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,9mΩ Moc rozp...

IXYS

IXFN180N25T

od PLN 70,74*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 240A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 165ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN240N25X3

od PLN 146,94*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 23 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (338 artykułów)