| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT5018BLLG |
od PLN 41,05* za szt. |
|
|
|
Infineon IPS70R1K4P7SAKMA1 |
od PLN 1,036* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,36* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 24,59* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,61* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 1.05 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja... |
ROHM Semiconductor R6504KND3TL1 |
od PLN 2,341* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,96* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STD5N80K5 |
od PLN 2,992* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT5018SLLG |
od PLN 45,55* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4 A PowerDI3333-8 60 V SMD 0.1 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja ... |
|
od PLN 1,137* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 39 A HSMT 100 V SMD 0.0155 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
ROHM Semiconductor RQ3P300BHTB1 |
od PLN 9 951,51* za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,28* za szt. |
|
|
|
Infineon IPSA70R1K4P7SAKMA1 |
od PLN 45,18* za 75 szt. |
|
|
|
|
od PLN 13,96* za szt. |
|
|
|
Infineon IPS70R1K4P7SAKMA1 |
od PLN 1,017* za szt. |
|
|