Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 920 260 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5018BLLG
od PLN 41,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A IPAK SL (TO-251 SL) 700 V 1400 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1...
Infineon
IPS70R1K4P7SAKMA1
od PLN 1,036*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 10,8A; Idm: 72A; 235W; TO220 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2947
od PLN 15,36*
za szt.
 
 szt.
Infineon
AUIRF1324WL
od PLN 24,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W ...
Infineon
IPP50R140CPXKSA1
od PLN 11,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 1.05 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
ROHM Semiconductor
R6504KND3TL1
od PLN 2,341*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 20A; 380W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 380W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFA20N50P3
od PLN 9,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A DPAK (TO-252) SMD Pojedynczy 60 W 1.73 Ω (1 Oferta) 
Ten bardzo wysoki, N-kanałowy tranzystor Power MOSFET został zaprojektowany w oparciu o technologię MDmesh K5 opartą na innowacyjnej, zastrzeżonej strukturze pionowej. W rezultacie otrzymujemy rady...
ST Microelectronics
STD5N80K5
od PLN 2,992*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5018SLLG
od PLN 45,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A PowerDI3333-8 60 V SMD 0.1 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja ...
Diodes
DMN6069SFVW-7
od PLN 1,137*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A HSMT 100 V SMD 0.0155 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
RQ3P300BHTB1
od PLN 9 951,51*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 24A; 480W; TO220AB; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480...
IXYS
IXTP460P2
od PLN 11,28*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPSA70R1K4P7SAKMA1
od PLN 45,18*
za 75 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 20A; 460W; TO247AC (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFP31N50LPBF
od PLN 13,96*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPS70R1K4P7SAKMA1
od PLN 1,017*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.