Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką kup korzystnie w Mercateo (strona 215/264)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł: IGBT; półmostek IGBT x3; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,2kA; HIPAK; SPT+ (1 Oferta)

Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 1,2kA Prąd ...

ABB

5SNA 1200G450300

od PLN 7 606,43*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 900V; Ic: 46A; SOT227B (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 900V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w im...

Microchip Technology

APT46GA90JD40

od PLN 130,97*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 900A (1 Oferta)

Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 900A Prąd kolektora w i...

SEMIKRON DANFOSS

SKM900GA12E4 22892130

od PLN 1 183,25*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 4,5kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Oferta)

Producent: ABB Obudowa: STAKPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3kA Prąd kolektora w impulsie: 6kA Cena...

ABB

5SMA 3000L450300

od PLN 21 486,15*
za szt.

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta)

Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prą...

SEMIKRON DANFOSS

SKM400GM17E4 22895160

od PLN 1 357,93*
za szt.

Moduł: IGBT; półmostek IGBT x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 1,6kA; HIPAK; SPT+ (1 Oferta)

Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 1,6kA Prąd ...

ABB

5SNA 1600N170300

od PLN 4 197,99*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 99A; SOT227B (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 99A Prąd kolektora w i...

Microchip Technology

APT150GN120J

od PLN 173,65*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 123A; SOT227B (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 123A Prąd kolektora w ...

Microchip Technology

APT150GN60J

od PLN 137,56*
za szt.

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta)

Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prą...

SEMIKRON DANFOSS

SKM300GM12T4 22892480

od PLN 861,84*
za szt.

Moduł: IGBT; półmostek IGBT x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 650A; HIPAK (1 Oferta)

ABB

5SNA 0650J450300

od PLN 5 755,86*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 400A (1 Oferta)

Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...

SEMIKRON DANFOSS

SKM600GA176D 22890432

od PLN 1 075,35*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 158A Prąd kolektora w ...

Microchip Technology

APT200GN60JDQ4

od PLN 201,37*
za szt.