Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 950 ofert spośród 5 017 990 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT60GA60JD60
od PLN 138,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 158A Prąd kolektora w ...
Microchip Technology
APT200GN60J
od PLN 157,41*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12E4 22892114
od PLN 914,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT85GR120J
od PLN 148,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; półmostek IGBT x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2,4kA Prąd ...
ABB
5SNA 2400N170300
od PLN 5 200,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 46A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT50GP60JDQ2
od PLN 137,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT50GF120JRD
od PLN 207,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; półmostek IGBT x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 800A; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 800A Prąd k...
ABB
5SNA 0800J450300
od PLN 6 187,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT65GP60JDQ2
od PLN 160,07*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 67A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 67A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT100GT120JR
od PLN 218,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 400A; 2,5kW (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MMES Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora...
Infineon
FZ400R17KE4HOSA1
od PLN 655,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; półmostek IGBT x3; Urmax: 1,7kV; Ic: 3,6kA; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3,6kA Prąd ...
ABB
5SNA 3600E170300
od PLN 7 330,49*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT80GP60J
od PLN 175,07*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w i...
Microchip Technology
APT100GN120J
od PLN 159,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: STAKPAK Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2kA Prąd kolektora w impulsie: 4kA Cena...
ABB
5SNA 2000K450300
od PLN 30 279,54*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   211   212   213   214   215   216   217   218   219   220   221   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.