Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 970 ofert spośród 4 929 310 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor NTC (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SimBus F Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 250A Prąd kolektora w impulsie: 500A Moc r...
IXYS
MIXA225RF1200TSF
od PLN 237,46*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,buck chopper; 290W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 150A Moc r...
IXYS
MIXA60HU1200VA
od PLN 95,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,buck chopper; HIPAK (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 800A Prąd kolektora w impulsie: 1,6kA Montaż e...
ABB
5SNE 0800M170100
od PLN 4 363,96*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT (1 Oferta) 
Producent: KYOCERA AVX Typ modułu: IGBT
KYOCERA AVX
PRHMB300W6
od PLN 443,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 300A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GAL12E4S 27890220
od PLN 940,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX1S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12E4S 27890102
od PLN 536,10*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX1S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12VS 27890103
od PLN 584,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2,4kA Prąd kolek...
ABB
5SNE 2400E170300
od PLN 5 888,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 450A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3p Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL17E4P 27894424
od PLN 1 601,01*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 300A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX452GAL126HDS 27890685
od PLN 1 143,92*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 450A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3s Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX653GAL176HDS 27890540
od PLN 1 830,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper x2,termistor NTC (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGL60DDA120T3G
od PLN 315,24*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3s Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GAL066HDS 27891130
od PLN 1 253,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 450A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3s Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL12E4S 27890144
od PLN 1 306,24*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3p Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GAL17E4P 27894420
od PLN 1 963,31*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   191   192   193   194   195   196   197   198   199   200   201   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.