Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-5SNE2400E170300
Producent:
     ABB
Nr producenta:
     5SNE 2400E170300
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: ABB
Obudowa: HIPAK
Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 2,4kA
Prąd kolektora w impulsie: 4,8kA
Montaż elektryczny: przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: buck chopper;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 5 896,71*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 7 138,70*
PLN 8 780,60
za szt.
od 2 szt.
PLN 7 082,48*
PLN 8 711,45
za szt.
od 3 szt.
PLN 6 398,38*
PLN 7 870,01
za szt.
od 5 szt.
PLN 6 310,74*
PLN 7 762,21
za szt.
od 10 szt.
PLN 5 924,56*
PLN 7 287,21
za szt.
od 500 szt.
PLN 5 896,71*
PLN 7 252,95
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.