Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką kup korzystnie w Mercateo (strona 15/264)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 938 W (2 ofert)

Odpowiadając na zapotrzebowanie rynku na coraz większe ilości krzemu w mniejszych, pozwalających zaoszczędzić miejsce obudowach, Infineon wprowadza nową obudowę TO-247PLUS dla układów IGBT 1200 V. ...

Infineon

IKQ75N120CT2XKSA1

od PLN 45,489*
za szt.

IGBT Ic 152 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 830 W (2 ofert)

Dyskretne IGBT, seria IXYS XPT. Gama dyskretnych zasilaczy IGBT firmy IXYS firmy xpt™ jest wyposażona w technologię bardzo lekkiej płytki dziurkowanej, która zmniejsza odporność cieplną i straty en...

IXYS

IXYN100N120C3

od PLN 156,66*
za szt.

IGBT Ic 11 A Uce 600 V TO-220FP Pojedynczy kanał: N 28 W (2 ofert)

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGF14NC60KD

od PLN 2,611*
za szt.

IGBT Ic 200 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 1250 W (1 Oferta)

IXYS

IXYH82N120C3

od PLN 2 078,79*
za 30 szt.

IGBT Ic 164 A Uce 1200 V PLUS264 Pojedynczy kanał: N 1040 W (1 Oferta)

IXYS

IXYB82N120C3H1

od PLN 2 794,105*
za 25 szt.

IGBT Ic 16 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 70 W (3 ofert)

Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 1100 do 1600. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami napięcia znamionowymi emitera emitującego światło kolekcjonerskie od 1100 do 1600 V, wyposaż...

Infineon

IKW08T120FKSA1

od PLN 6,58*
za szt.

IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 469 W (2 ofert)

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGWT80H65DFB

od PLN 17,781*
za szt.

IGBT Ic 200 A Uce 600 V ISOTOP Pojedynczy kanał: N (2 ofert)

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGE200NB60S

od PLN 111,26*
za szt.

IGBT Ic 188 A Uce 1200 V PLUS247 Pojedynczy kanał: N 1150 W (2 ofert)

IXYS

IXYX100N120C3

od PLN 46,986*
za szt.

IGBT Ic 20 A Uce 1200 V TO-220 Pojedynczy kanał: N 85 W (1 Oferta)

IXYS

IXA12IF1200PB

od PLN 715,93*
za 50 szt.

IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-3PN Pojedynczy kanał: N 600 W (2 ofert)

Dyskretne Fairchild Semiconductor

onsemi

FGA60N65SMD

od PLN 13,107*
za szt.

IGBT Ic 200 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 375 W (1 Oferta)

Izolacyjny tranzystor bipolarny (IGBT) z bramką typu Bate charakteryzuje się wytrzymałą i ekonomiczną konstrukcją na wykopy IV, zapewniając doskonałe działanie w wymagających zastosowaniach przełąc...

onsemi

FGH75T65SQDNL4

od PLN 22,214*
za szt.