Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 304 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 11A; 150W; TO220-3 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STP11NM80
od PLN 6,417*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12M80B
od PLN 22,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 77ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW Po...
IXYS
IXFT400N075T2
od PLN 44,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 15A; Idm: 85A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT22F80B
od PLN 39,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3-FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34...
Infineon
SPA11N80C3
od PLN 8,073*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 0,95A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQPF2N80YDTU
od PLN 4,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 47A; Idm: 240A; 157W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 157W Polaryzacja:...
Nexperia
PHP79NQ08LT,127
od PLN 4,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W ...
Infineon
SPB17N80C3
od PLN 14,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F80S
od PLN 35,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 100A; 217W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 217W Polaryz...
Texas Instruments
CSD19501KCS
od PLN 5,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 230W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2912
od PLN 10,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1A; 42W; TO220AB; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Po...
IXYS
IXTP1N80P
od PLN 5,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 160mA; 2,5W; SOT223 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryz...
ST Microelectronics
STN1NK80Z
od PLN 1,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 110A; 125W; DFN8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny...
onsemi
FDMS86300DC
od PLN 5,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 48ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Pol...
IXYS
IXTA70N075T2
od PLN 5,56*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.