Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 840 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 12A; 33,2W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33,2W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
12N65
od PLN 1,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2...
IXYS
IXTP20N65X2
od PLN 10,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 67mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 312W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FCP067N65S3
od PLN 14,019*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 9,5A; Idm: 60A; 38,5W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38,5W Polaryzacja: uni...
onsemi
FDPF15N65
od PLN 6,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,1A; 104W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W...
Infineon
IPL65R310E6AUMA1
od PLN 5,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32...
IXYS
IXTH20N65X
od PLN 23,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CI
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 1,3A; Idm: 8A; 28W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQPF2N70
od PLN 2,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,1A; 208W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208...
Infineon
SPP20N65C3
od PLN 15,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXTA20N65X2
od PLN 13,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 3,1A; Idm: 20A; 96W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 3,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W Polaryzacja:...
ST Microelectronics
STD5NM60-1
od PLN 3,01*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPN70R1K5CEATMA1
od PLN 0,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPW65R280C6FKSA1
od PLN 6,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 22,4A; 34,7W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 22,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34,7W ...
Infineon
IPA65R150CFDXKSA1
od PLN 13,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 3,9A; Idm: 28A; 167W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167W Polaryzacja: unip...
Bridgelux
BXP7N65P
od PLN 1,48*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   771   772   773   774   775   776   777   778   779   780   781   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.