Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 178 ofert spośród 4 838 886 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 124A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 81W Polaryzacja: unipolar...
Toshiba
TPH2R903PL,L1Q(M
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 36A; 347W; TO220AB; 125ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 125ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 347...
IXYS
IXFP36N30P3
od PLN 10,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,1A; 150mW; SC70 (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: unipolarn...
Toshiba
SSM3K15AFU,LF(T
od PLN 0,655*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 5,7A; Idm: 36A; 98W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 98W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQP9N30
od PLN 4,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 12A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Pol...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSP36326C
od PLN 0,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 125ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 347W ...
IXYS
IXFA36N30P3
od PLN 10,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,35A; 260mW; SC70,SOT323 (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,26W Polaryzacja...
Nexperia
NX3008NBKW,115
od PLN 0,131*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 50A; 690W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT50N30Q3
od PLN 39,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 13,5A; 3,2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 13,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,2W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SI4174DY-T1-GE3
od PLN 1,49*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFP4137PBF
od PLN 14,547*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,3A; Idm: 1,2A; 0,2W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Pol...
ROHM Semiconductor
RJU003N03FRAT106
od PLN 0,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 54A; Idm: 216A; 403W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 61mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M61BLLG
od PLN 56,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 13A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 13A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka ...
Infineon
IRF7463TRPBF
od PLN 9 872,64*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M75BLLG
od PLN 45,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,56A; 0,69W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,69W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
NTR4003NT1G
od PLN 0,227*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   641   642   643   644   645   646   647   648   649   650   651   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.