Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 178 ofert spośród 4 838 886 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 28V; 1,2A; Idm: 6,4A; 350mW (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 28V Prąd drenu: 1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 138mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polar...
Diodes
DMN3150LW-7
od PLN 0,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 8,4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 8,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDPF14N30
od PLN 3,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 120A; 960W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX120N30T
od PLN 38,26*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSO110N03MSGXUMA1
od PLN 1,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2kV; 4A; 215W; 520ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 520ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 215W Polaryzacja: unipolarny Rod...
IXYS
IXTF6N200P3
od PLN 105,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 84A; Idm: 336A; 568W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M36LFLLG
od PLN 86,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 150A; 1300W; TO264 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFK150N30P3
od PLN 65,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 12,5A; Idm: 91A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS8876
od PLN 1,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™ (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,13kW Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFX120N30P3
od PLN 45,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 88A; 600W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT88N30P
od PLN 38,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 28A; 250W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,129Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDB28N30TM
od PLN 3,846*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRLB8314PBF
od PLN 1,924*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 140A; 1040W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFX140N30P
od PLN 61,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 9,1A; Idm: 57,6A; 147W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 9,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unip...
onsemi
FQP14N30
od PLN 4,34*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP410N30NAKSA1
od PLN 19,16*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   641   642   643   644   645   646   647   648   649   650   651   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.