Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10078BLLG
od PLN 91,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT-323 (SC-70) 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA MUN5211T1G (2 ofert) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 50 V Typ opakowania = SOT-323 (SC-70) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = ...
onsemi
MUN5211T1G
od PLN 0,405*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,75A; 40W; TO220AB; 710ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W ...
IXYS
IXTP05N100
od PLN 5,52*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPDD60R080G7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPDD60R080G7XTMA1
od PLN 14,197*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,75A; 40W; TO263; 710ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Po...
IXYS
IXTA05N100
od PLN 10,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN DPAK (TO-252) 50 V Montaż powierzchniowy 2 A MJD2873-QJ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 50 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC...
Nexperia
MJD2873-QJ
od PLN 0,589*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 850ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W...
IXYS
IXTX24N100
od PLN 83,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN PowerDI5060-8/SWP 100 V 3 A DXTN3C100PDQ-13 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 3 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 100 V Typ opakowania = PowerDI5060-8/SWP
Diodes
DXTN3C100PDQ-13
od PLN 2,068*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 18A; 830W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,66Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFH18N100Q3
od PLN 52,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT-323 (SC-70) 50 V Montaż powierzchniowy 150 A 2SC4081U3HZGT106Q (2 ofert) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 50 V Typ opakowania = SOT-323 (SC-70) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prąd...
ROHM Semiconductor
2SC4081U3HZGT106Q
od PLN 2,20*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,8A; 42W; TO263; 750ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 750ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Pol...
IXYS
IXTA08N100P
od PLN 5,70*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPA60R125P6 tranzystor 650 V (2 ofert)
Infineon
IPA60R125P6XKSA1
od PLN 11,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,7A; 25W; TO220FP; 710ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W P...
IXYS
IXTP05N100M
od PLN 8,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN DPAK (TO-252) 50 V Montaż powierzchniowy 7 A 2SCR583D3FRATL (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 50 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
2SCR583D3FRATL
od PLN 1,951*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035LFLLG
od PLN 132,01*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.