Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IPL60R095CFD7AUMA1
od PLN 9,362*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 190V; 0,53A; 13W; DPAK,TO252 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 190V Prąd drenu: 0,53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 13W Polaryzacja: unip...
Vishay
SIB452DK-T1-GE3
od PLN 1,015*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT-23 45 V Montaż powierzchniowy 100 mA BCX70K,215 (2 ofert) 
Nexperia BCX70J to tranzystor NPN w plastikowym opakowaniu SOT23.Niskie natężenie prądu Niskie napięcie
Nexperia
BCX70K,215
od PLN 0,101*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD60R170CFD7ATMA1
od PLN 5,114*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 69ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 350W Po...
IXYS
IXFA76N15T2
od PLN 12,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 87 A TO-220 FP 650 V 0.125 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 87 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ P6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPA60R125P6XKSA1
od PLN 10,286*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F100B
od PLN 39,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN D2PAK (TO-263) 100 V Montaż powierzchniowy 15 A 2STBN15D100 (1 Oferta) 
Urządzenie jest produkowane w technologii planarnej z układem ″podstawowej wyspy″ i monolityczną konfiguracją Darlingtona.Dobra liniowość hFE Monolityczny układ Darlingtona z wbudowaną diodą antyró...
ST Microelectronics
2STBN15D100
od PLN 2,426*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,1A; 25W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: unipolarny R...
IXYS
IXTU01N100
od PLN 6,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN SOT-23 45 V Montaż powierzchniowy 500 mA BC817-40LT3G (1 Oferta) 
Tranzystor bipolarny NPN jest przeznaczony do zastosowań liniowych i przełączających. Urządzenie jest umieszczone w obudowie SOT-23, która jest przeznaczona do montażu powierzchniowego o niższej mo...
onsemi
BC817-40LT3G
od PLN 754,60*
za 10 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPS60R1K0CEAKMA1
od PLN 117,05025*
za 75 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 8,5A; 16W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 16W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF256L
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 90 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 0.0035 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 90 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IPC90N04S53R6ATMA1
od PLN 2,967*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18M100S
od PLN 42,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN D2PAK (TO-263) 700 V Montaż powierzchniowy 16 A STB13007DT4 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 16 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 700 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 80...
ST Microelectronics
STB13007DT4
od PLN 2 582,96*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.