Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 906 ofert spośród 4 928 399 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 10,7A; Idm: 61A; 45W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 196mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża ...
Nexperia
BUK9Y72-80E,115
od PLN 1,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FCH110N65F-F155
od PLN 12,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 710V; 36,5A; Idm: 232A; 330W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 710V Prąd drenu: 36,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 330W Polar...
ST Microelectronics
STW69N65M5-4
od PLN 35,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 2,47A; Idm: 15,6A; 130W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: I2PAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 2,47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQI4N80TU
od PLN 4,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power56 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDMS039N08B
od PLN 5,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 312W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FCH067N65S3-F155
od PLN 17,284*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 56W Polaryzacja: un...
Vishay
SQJ486EP-T1_GE3
od PLN 2,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 2,6A; Idm: 16A; 125W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO262;I2PAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: uni...
Vishay
SIHFBE30L-GE3
od PLN 5,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 103A; Idm: 864A; 178W; PQFN8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 103A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 178W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDMT1D3N08B
od PLN 18,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 30A; Idm: 150A; 360W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW58N65DM2AG
od PLN 31,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 25,1A; Idm: 142A; 85W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 25,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 67,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża...
Nexperia
BUK7Y28-75B,115
od PLN 2,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: IPAK;TO251 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polaryzacja: un...
Vishay
SIHU4N80AE-GE3
od PLN 2,982*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 123A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 294...
Nexperia
PSMN4R2-80YSEX
od PLN 5,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 358W Polaryz...
ST Microelectronics
STW56N65M2-4
od PLN 25,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 60A; Idm: 340A; 160W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDB088N08
od PLN 5,097*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1251   1252   1253   1254   1255   1256   1257   1258   1259   1260   1261   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.