Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 918 877 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 1,8A; 28W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM70NB1R4CP ROG
od PLN 3,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHG17N80AE-GE3
od PLN 7,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 3,8A; 110W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polary...
Taiwan Semiconductor
TSM80N950CH C5G
od PLN 5,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 275mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryza...
ST Microelectronics
STWA20N95DK5
od PLN 20,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 2A; 38W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryzacj...
Taiwan Semiconductor
TSM70N1R4CP ROG
od PLN 4,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryza...
ST Microelectronics
STW23N80K5
od PLN 14,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 30A; Idm: 173A; 1135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT48M80B2
od PLN 84,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 950V; 24A; Idm: 152A; 450W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 450W Polaryza...
ST Microelectronics
STWA40N95DK5
od PLN 46,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 4,8A; 83W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM70N600CH C5G
od PLN 5,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,235Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: ...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
od PLN 6,317*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 9V; 330mA; Idm: 0,6A; 0,36W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-5 Napięcie dren-źródło: 9V Prąd drenu: 0,33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Pola...
Microchip Technology
LND01K1-G
od PLN 1,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 710V; 36,5A; Idm: 232A; 330W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 710V Prąd drenu: 36,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 330W Polar...
ST Microelectronics
STW69N65M5-4
od PLN 35,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,235Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: unip...
Vishay
SIHP21N80AE-GE3
od PLN 11,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 4,4A; Idm: 37A; 33W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHA21N80AEF-GE3
od PLN 7,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; DFN1006-3; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: DFN1006-3 Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM03N09F
od PLN 0,0737*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1251   1252   1253   1254   1255   1256   1257   1258   1259   1260   1261   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.