Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 6 A ThinPAK 5 x 6 800 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na uk...
Infineon
IPLK80R900P7ATMA1
od PLN 2,143*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W P...
Infineon
BSC039N06NS
od PLN 4,19*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6,9 A SO-8 60 V SMD 0,034 oma (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex 60V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym ro...
Diodes
DMN6022SSS-13
od PLN 1,788*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 1,3A; Idm: 8,3A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 246mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj o...
Nexperia
PMV120ENEAR
od PLN 0,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220F 650 V 0.6 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
onsemi
FCPF600N65S3R0L-F154
od PLN 5,969*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; 333W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB1608L
od PLN 3,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6,1 A TO-247AC 1000 V Pojedynczy 190 W 2 omy (1 Oferta) 
MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFPG50PBF
od PLN 359,045*
za 25 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220 600 V 0.6 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IPP60R600P7XKSA1
od PLN 4,151*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 113W Polar...
Diodes
DMT6004SCT
od PLN 4,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HiP247 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
od PLN 186,353*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-252 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPD65R660CFDAATMA1
od PLN 6,796*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; 86W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6160
od PLN 6,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 1,7A; 3,1W; SOT223 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 1,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unipola...
Vishay
IRLL014TRPBF
od PLN 0,89*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220 800 V 900 MO (1 Oferta) 
Superzłącze Infineon serii MOSFET CoolMOS™ P7 800V to idealne rozwiązanie do zastosowań SMPS o niskim zapotrzebowaniu na energię, w pełni zaspokajające potrzeby rynku w zakresie wydajności, łatwośc...
Infineon
IPP80R900P7XKSA1
od PLN 4,634*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
ROHM Semiconductor
RS1P600BHTB1
od PLN 4,57*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   921   922   923   924   925   926   927   928   929   930   931   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.