Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 958 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 6 A SOP 45 V SMD 0.025 omów (1 Oferta) 
ROHM SP8K24HZG jest niezawodnym MOSFET samochodowym, odpowiednim do przełączania aplikacji.Niska rezystancja w stanie włączenia Mała obudowa do montażu powierzchniowego (SOP8) Bezołowiowa powłoka p...
ROHM Semiconductor
SP8K24HZGTB
od PLN 3,743*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59 A SO-8L 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SIJ4106DP-T1-GE3
od PLN 4,934*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220F 650 V 0.6 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
onsemi
FCPF600N65S3R0L-F154
od PLN 7,882*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 10,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 10,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4264E
od PLN 0,89*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD122N10N3GATMA1
od PLN 10,835*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 6 A SOT-223 700 V SMD 0.9 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPN70R900P7SATMA1
od PLN 1,263*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59.7 A PowerPAK SO-8 150 V SMD 0.0115 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59.7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = N-Channel 150 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...
Vishay
SIR572DP-T1-RE3
od PLN 5,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMBG65R260M1HXTMA1
od PLN 9,12*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0109 O, 0.0149 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Infineon
ISC0804NLSATMA1
od PLN 12 441,20*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,45A; 0,7W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzacj...
Diodes
ZVN2106ASTZ
od PLN 1,27*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A SOT-223 950 V SMD 0.12 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPN95R1K2P7ATMA1
od PLN 3,175*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,4A; Idm: 1,2A; 320mW; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,32W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
T2N7002BK,LM(T
od PLN 0,555*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 6 A 1206-8 ChipFET 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = 1206-8 ChipFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI5468DC-T1-GE3
od PLN 0,607*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,31A; 0,37W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacy...
Diodes
2N7002KQ-13
od PLN 2,44*
za 20 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 6 A V-DFN5045-12 100 V 0.033 O. (1 Oferta) 
Seria DiodesZetex DMHT10H032LFJ to N-kanałowy MOSFET w konfiguracji mostka H.Wysoka sprawność konwersji Wysoka szybkość przełączania
Diodes
DMHT10H032LFJ-13
od PLN 2,31*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   921   922   923   924   925   926   927   928   929   930   931   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.