 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
ROHM Semiconductor SCT3080ARC15 |
od PLN 25,336*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOSS32334C |
od PLN 0,34*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD30N12S3L31ATMA1 |
od PLN 1,595*
za szt. |
|
|
|
|
PLN 1,02*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247-4 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o... |
|
od PLN 20,147*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON6792 |
od PLN 1,55*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220AB 650 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
ROHM Semiconductor R6530KNX3C16 |
od PLN 9,395*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,12*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-252 120 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IPD30N12S3L31ATMA1 |
od PLN 2,853*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,67*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD30N06S223ATMA2 |
PLN 2,01*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 8,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Pola... |
Alpha & Omega Semiconductor AO4468 |
od PLN 0,77*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
ROHM Semiconductor SCT3080ARHRC15 |
od PLN 26,954*
za szt. |
|
|
|
|
PLN 1,34*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220SIS 650 V 0.09 Ω (1 Oferta) Tranzystor Toshiba MOSFET z kanałem N o wysokich właściwościach przełączania i mniejszej pojemności. Jest on stosowany głównie w przełączaniu zasilaczy.Niska rezystancja wł. Źródła odpływu 0.075 ? ... |
|
od PLN 19,619*
za szt. |
|
|
