Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 958 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 40 A TO-247 650 V Pojedynczy 313 W 82 miliomy (1 Oferta) 
SuperFET® III MOSFET to ON zupełnie nowa rodzina elementów MOSFET SJ wysokiego napięcia, która korzysta z technologii równoważenia obciążenia, aby zapewnić doskonałą rezystancję włączenia i obniżyć...
onsemi
NTHL082N65S3F
od PLN 10 989,2835*
za 450 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 44 A LFPAK33 40 V SMD Pojedynczy 55 W 28 mΩ (2 ofert) 
Układ MOSFET 40 V z kanałem N, poziom logiczny 14 mΩ, obudowa LFPAK33. Układ MOSFET poziomu logicznego z kanałem N w obudowie LFPAK33 (Power33) z technologią TrenchMOS. Ten produkt został zaprojekt...
Nexperia
BUK9M14-40EX
od PLN 1,171*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ060NE2LSATMA1
od PLN 3,705*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 42 A D2PAK (TO-263) 710 V SMD Pojedynczy 250 W 63 miliomy (2 ofert) 
N-kanałowy zestaw do mikroelektroniki MDmesh™ serii M5 STMicroelectronics. Tranzystory zasilające MOSFET MDmesh M5 są zoptymalizowane pod kątem topologii wysokoenergetycznych PFC i PWM. Główne cech...
ST Microelectronics
STB57N65M5
od PLN 27,466*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ097N10NS5ATMA1
od PLN 14,93*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 44 A PQFN 5 x 6 150 V SMD 156 W 31 miliomów (1 Oferta) 
N-Channel Power MOSFET o napięciu od 150V do 600V, Infineon. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowy...
Infineon
IRFH5015TRPBF
od PLN 11 920,60*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 40 A TSDSON 30 V SMD Pojedynczy 50 W 7,8 milioma (1 Oferta) 
Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, do 40. Produkty OptiMOS™ są dostępne w pakietach o wysokiej wydajności, które pozwalają sprostać najbardziej wymagającym zastosowaniom, zapewniając...
Infineon
BSZ050N03LSGATMA1
od PLN 5 612,65*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 42 A Do-247G. 600 V Pojedynczy 495 W. 104 mΩ (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 42 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = Do-247G. Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ROHM Semiconductor
R6042JNZ4C13
od PLN 19,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A TSDSON 30 V SMD Pojedynczy 50 W 7,8 milioma (2 ofert) 
Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, do 40. Produkty OptiMOS™ są dostępne w pakietach o wysokiej wydajności, które pozwalają sprostać najbardziej wymagającym zastosowaniom, zapewniając...
Infineon
BSZ050N03LSGATMA1
od PLN 0,955*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A TO-220 650 V Pojedynczy 312 W 67 milioma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
FCP067N65S3
od PLN 14,009*
za szt.
 
 szt.
Nexperia
NX3008NBK,215
od PLN 15,3105*
za 150 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 42 A DPAK (TO-252) 55 V SMD Pojedynczy 110 W 40 miliomów (4 ofert) 
MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kszt...
Infineon
IRLR2905TRPBF
od PLN 1,71*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFS3004TRL7PP
od PLN 11,583*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A TO-247 650 V Pojedynczy 312 W 107 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
NVHL072N65S3
od PLN 35,122*
za 2 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 400 mA SOT-23 60 V SMD 1 W 1,75 oma (1 Oferta) 
Wysoka szybkość przełączaniaPoziom ESD(HBM) 2 kV Niska rezystancja włączania źródła ujścia RDS(ON) = 1,05 Ω (typowo) (przy VGS = 10 V) RDS(ON) = 1,15 Ω (typowo) (przy VGS = 5,0 V) RDS(ON) = 1,2 Ω (...
Toshiba
T2N7002BK
od PLN 19,77*
za 100 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   211   212   213   214   215   216   217   218   219   220   221   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.