| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1712528 Nr producenta: T2N7002BK EAN/GTIN: 5059041275965 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Wysoka szybkość przełączaniaPoziom ESD(HBM) 2 kV Niska rezystancja włączania źródła ujścia RDS(ON) = 1,05 Ω (typowo) (przy VGS = 10 V) RDS(ON) = 1,15 Ω (typowo) (przy VGS = 5,0 V) RDS(ON) = 1,2 Ω (typowo) (przy VGS = 4,5 V) Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 400 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,75 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.1V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.1V | Maksymalna strata mocy: | 1 W | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 2.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1712528, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, T2N7002BK |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |