Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 653 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Vishay SI7850DP-T1-GE3 MOSFET 1 szt. (2 ofert) 
Vishay SI_DP-GE3 P MOSFET mocy SMD Dane techniczne: I(d): 6.2 A · Ilość kanałów: 1 · Maksymalna temperatura robocza: 150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 1.8 W · Napi...
Vishay
SI7850DP-T1-GE3
od PLN 3,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 4,8A; Idm: 9A; 1,6W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: MicroFET Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 61mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: un...
onsemi
FDMB3800N
od PLN 1,956*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 1A; Idm: 9,6A; 0,4W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,4W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMFTN6190KDW
od PLN 2,12*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Vishay SIR426DP-T1-GE3 MOSFET 1 szt. (2 ofert) 
Vishay SI_DP-GE3 P MOSFET mocy SMD Dane techniczne: I(d): 30 A · Ilość kanałów: 1 · Maksymalna temperatura robocza: 150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 41.7 W · Napi...
Vishay
SIR426DP-T1-GE3
od PLN 2,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3A; Idm: 9A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryza...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI003N03SQ2
od PLN 0,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 200mA; Idm: 0,8A; 220mW (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,22W Pola...
Diodes
DMN33D8LDW-7
od PLN 2,01*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 40A; Idm: 314A; 64W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motory...
Nexperia
BUK7K5R6-30E,115
od PLN 3,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 200mA; Idm: 0,8A; 200mW (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,2W Polary...
Diodes
DMN33D9LV-7
od PLN 1,77*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 400mA; 280mW; SOT353 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT353 Struktura półprzewodnika: wspólne źródło Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystor...
Diodes
DMN32D2LDF-7
od PLN 0,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3,5A; Idm: 12A; 1,5W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSMT8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polary...
ROHM Semiconductor
QS8K11TCR
od PLN 0,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8A; Idm: 16A; 2,8W; SOP8 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,8W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SH8KA2GZETB
od PLN 1,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 300mA; Idm: 0,6A; 350mW (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,35W Pola...
PanJit Semiconductor
PJT7828_R1_00001
od PLN 0,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 5,4A; Idm: 34A; 2,35W (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,3...
Micro Commercial Components
MCQD08N03A-TP
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3A; Idm: 12A; 1,4W; QFN2X2 (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: QFN2X2 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,102Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,4W Pol...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI2A8N03PWK2
od PLN 0,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 35V; 4,5A; Idm: 30A; 1,5W; ECH8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: ECH8 Napięcie dren-źródło: 35V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryzacja: unipol...
onsemi
ECH8657-TL-H
od PLN 1,06*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1261   1262   1263   1264   1265   1266   1267   1268   1269   1270   1271   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.