|  |
| |
| Nr artykułu:
7619-3026552-BP Nr producenta:
SI7850DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Vishay SI_DP-GE3 P MOSFET mocy SMD Dane techniczne: I(d): 6.2 A · Ilość kanałów: 1 · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 1.8 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 60 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · R(DS) wł.: 0.031 Ω · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Temperatura pracy (maks.): 150 °C · Typ obudowy półprzewodnika: PowerPAK-SO-8 · Wykonanie: Kanał-N |
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: MOSFET mocy, MOSFET dużej mocy, Tranzystor dużej mocy, Tranzystory dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, Vishay, SI7850DP-T1-GE3 |
| | |
| | | Oferty (2) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | Magazyn 7619 | | | | 25 | | PLN 16,25* | od PLN 5,21* | PLN 6,56* | | | | | | | | | 1 | | PLN 12,90* | od PLN 3,76* | PLN 8,08* | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 7619 | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Minimalna liczba zamawianych produktów: 25 szt. ( odpowiada PLN 164,00* plus VAT ) |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 7619 | | Wysyłka: Magazyn 7619 | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 16,25* | | od PLN 333,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 7619 | | | | Anulowanie, wymiana lub zwrot tego artykułu są wykluczone. | | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|