Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 858 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -15V; -0,72A; Idm: 7A; SO8 (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -0,72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj...
Texas Instruments
TPS1100D
od PLN 4,71*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 79 A DPAK (TO-252) SMD 0.019 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 79 A Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.019 Ω Tryb kanałowy = ...
Diodes
DMPH4011SK3Q-13
od PLN 4,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -12V; -14A; 1,25W; uDFN6 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: uDFN6 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,2mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: uni...
Toshiba
SSM6J511NU,LF(T
od PLN 0,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 90 A PG-TO252-3-313 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 90 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO252-3-313 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2
od PLN 10 794,725*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -1,5A; 400mW; SC70-6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SC70-6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,4W Polaryzacja: unipolarny Ładunek bramk...
Alpha & Omega Semiconductor
AO7411
od PLN 0,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 8 A TSOP-6 20 V SMD 0.016 Ω (1 Oferta) 
Vishay Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET ma typ opakowania TSOP-6.Kwalifikacja AEC-Q101 100 % badanych RG i UIS Zgodność z RoHS
Vishay
SQ3493EV-T1_GE3
od PLN 1,064*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 643 ma TO-92 60 V SMD 1.5 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 643 ma Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = VP2206 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Microchip Technology
VP2206N3-G
od PLN 7,848*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -200V; -0,25A; 1W; DIP4 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: DIP4 Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -250mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
IRFD9210PBF
od PLN 1,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 8 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Lic...
Vishay
SQ4917CEY-T1_GE3
od PLN 1,928*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -12V; -5,7A; Idm: -20A; 1,6W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SI2333CDS-T1-GE3
od PLN 1,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 90,9 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 90,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SIR5607DP-T1-RE3
od PLN 23 733,84*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET P-kanałowy 8 A TSOP-6 30 V SMD 0.017 Ω (1 Oferta) 
Vishay Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET ma typ opakowania TSOP-6 z pojedynczą konfiguracją.Kwalifikacja AEC-Q101 100 % badanych RG i UIS Zgodność z RoHS
Vishay
SQ3495EV-T1_GE3
od PLN 0,857*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -150V; -0,43A; 0,48W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -0,43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,48W Polaryzacja: uni...
Vishay
SI2325DS-T1-GE3
od PLN 1,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 7,4 A TSOP-6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI3438DV-T1-GE3
od PLN 1,786*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -200V; -0,2A; 2W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -200mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 25Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polary...
Diodes
ZXMP2120G4TA
od PLN 1,62*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1111   1112   1113   1114   1115   1116   1117   1118   1119   1120   1121   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.