 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
90% |
|
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-247N 1200 V 0.45 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró... |
ROHM Semiconductor SCT2450KEGC11 |
od PLN 12 491,523*
za 450 szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 15,39*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 8 640,29*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 321,05*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 2 091,65*
za szt. |
|
90% |
|
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247 1200 V 22 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
Infineon IMW120R220M1HXKSA1 |
od PLN 11,349*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 278,27*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 229,71*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 593,06*
za szt. |
|
90% |
|
MOSFET N-kanałowy 4,7 A TO-247-4 1200 V 350 m.Ω (1 Oferta) Infineon CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-4 bazuje na najnowocześniejszym procesie półprzewodników do rowów zoptymalizowanym pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W p... |
Infineon IMZ120R350M1HXKSA1 |
od PLN 11,079*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 1 134,71*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 242,77*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 38,84*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 424,79*
za szt. |
|
90% |
|
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247 1200 V 22 m.Ω (2 ofert) Infineon CoolSiC™ 1200 V, 220 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-3 bazuje na najnowocześniejszym procesie półprzewodników do rowów zoptymalizowanym pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W p... |
Infineon IMW120R220M1HXKSA1 |
od PLN 11,378*
za szt. |
|
|
