 | | | | | | | | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | 90% |
|
|
Infineon FF2MR12W3M1HB11BPSA1 |
od PLN 2 124,833*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 157,74*
za 2 szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 5 837,62*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 153,00*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 1 445,97*
za szt. |
| 90% |
|
MOSFET N-kanałowy 20 A H2PAK-2 1200 V SMD 0,203 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = H2PAK-2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dre... |
ST Microelectronics SCT20N120H |
od PLN 40,024*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 223,13*
za 2 szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 566,46*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 294,98*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 12 943,91*
za szt. |
| 90% |
|
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W |
|
PLN 580,41*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 2 704,17*
za 5 szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 633,75*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 189,67*
za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 1 092,04*
za szt. |
| |
|
| | | |
