| | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
90% |
|
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V Moduł 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M... |
|
od PLN 521,369* za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 1 399,32* za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Ic 295 A Uce 1200 V Moduł 1,05 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 295 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 1,05 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu ... |
|
od PLN 4 330,03* za 10 szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 6 576,97* za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V Moduł 500 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 500 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M... |
Infineon F3L150R12W2H3B11BPSA1 |
od PLN 358,689* za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 47 300,33* za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 69,894* za szt. |
|
90% |
|
MOSFET 33 A H2PAK-7 1200 V SMD 0.105 O. (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCTH40N Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.105 O. Maks... |
ST Microelectronics SCTH40N120G2V-7 |
od PLN 49,537* za szt. |
|
90% |
|
|
Ergonomic Solutions ING1200-D-02 |
od PLN 236,39* za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 51,708* za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 1 583,61* za szt. |
|
90% |
|
|
Texas Instruments LM2735XMF/NOPB |
od PLN 33,13* za 5 szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 2 487,91* za szt. |
|
90% |
|
|
ROHM Semiconductor BSM120C12P2C201 |
od PLN 11 321,60604* za 12 szt. |
|
90% |
|
|
Ergonomic Solutions ING1200-MN-02 |
od PLN 60,71* za szt. |
|
|