Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 295 A Uce 1200 V Moduł 1,05 kW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2737368
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FD200R12KE3HOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 295 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 1,05 kW
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
295 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
1,05 kW
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2737368, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FD200R12KE3HOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 440,796*
  
Cena obowiązuje od 100 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 500,287*
PLN 615,353
za szt.
od 100 szt.
PLN 440,796*
PLN 542,179
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.