 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
90% |
|
Moduł IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) Trójfazowy prostownik zasilający EasyPIM firmy Infineon, zintegrowany moduł IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT7. Ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd do przodu 15 A. Jest on używany w pomocn... |
Infineon FP15R12W1T4PBPSA1 |
od PLN 161,089*
za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Ic 50 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na panelu Typ kanału = N Konfiguracja tranzyst... |
Mitsubishi PM50CG1B120300G |
od PLN 1 107,232*
za szt. |
|
90% |
|
|
Infineon FP25R12W2T4PBPSA1 |
od PLN 146,681*
za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Ic 150 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł... |
Mitsubishi CM150TX -24T 300G |
od PLN 5 799,30201*
za 9 szt. |
|
90% |
|
MOSFET 60 A HiP247-4 1200 V 5.2e+007 Ω (1 Oferta) The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low... |
ST Microelectronics SCTWA60N120G2-4 |
od PLN 99,154*
za szt. |
|
90% |
|
|
Infineon IFF450B12ME4PB11BPSA1 |
od PLN 746,002*
za szt. |
|
90% |
|
|
Infineon FP25R12W1T7B11BPSA1 |
od PLN 155,545*
za szt. |
|
90% |
|
MOSFET N-kanałowy 60 A HiP247 1200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics SCTW60N120G2 |
od PLN 185,653*
za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW (1 Oferta) Trójfazowy Infineon moduł IGBT z trójfazowym wejściem EasyPIM i technologią TRENCHSTOP IGBT4. Ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd do przodu 50 A. Jest on używany w serwomotor i sterowanie s... |
|
od PLN 416,01*
za szt. |
|
90% |
|
|
Infineon FF300R12ME7B11BPSA1 |
od PLN 511,567*
za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Ic 50 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) Inteligentny moduł zasilania Mitsubishi Electric 1200V charakteryzuje się wysoką wydajnością i niezawodnością dzięki sześciu sterownikowi na moduł. Ma 50 A maksymalnego prądu stałego kolektora i w ... |
Mitsubishi PM50CG1B120300G |
od PLN 8 323,69*
za 10 szt. |
|
90% |
|
|
Infineon FP35R12W2T4PB11BPSA1 |
od PLN 2 932,056*
za 18 szt. |
|
90% |
|
MOSFET 60 A HiP247-4 1200 V 5.2e+007 Ω (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 5.2e+007... |
ST Microelectronics SCTWA60N120G2-4 |
od PLN 99,371*
za szt. |
|
90% |
|
|
Infineon FF450R12ME7B11BPSA1 |
od PLN 6 284,32*
za 10 szt. |
|
90% |
|
MOSFET N-kanałowy 60 A HiP247 1200 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics SCTW60N120G2 |
od PLN 79,544*
za szt. |
|
|
