![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | Fotografia | | | | Zamów | ![](/p.gif) | | 90% |
|
|
|
od PLN 186,11* za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 0,0915* za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 301,30* za szt. |
| 90% |
|
Rezystor SMD 250mW 56Ohm 0.1% 1206 (2 ofert) Rezystor SMD, Typ=ERA8VEB56R0V, Długość korpusu=3.2 mm, Moc znamionowa=250 mW, Napięcie znamionowe (DC)=200 V, Rezystancja=56 Ω, Szerokość obudowy=1.6 mm, Temperatura robocza, maks.=155 °C, Tempera... |
|
od PLN 1,073* za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 5,07* za szt. |
| 90% |
|
Thick Film Resistor 100mW 160kOhm 1% 0402 (1 Oferta) Thick Film Resistor, Typ=560112110204, Długość korpusu=1 mm, Moc znamionowa=100 mW, Napięcie znamionowe (DC)=50 V, Rezystancja=160 kΩ, Szerokość obudowy=0.5 mm, Temperatura robocza, maks.=155 °C, T... |
Würth Elektronik 560112110204 |
od PLN 0,22* za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 1 298,88* za szt. |
| 90% |
|
Thick Film Resistor 100mW 681Ohm 1% 0603 (1 Oferta) Thick Film Resistor, Typ=560112116115, Długość korpusu=1.6 mm, Moc znamionowa=100 mW, Napięcie znamionowe (DC)=75 V, Rezystancja=681 Ω, Szerokość obudowy=0.8 mm, Temperatura robocza, maks.=155 °C, ... |
Würth Elektronik 560112116115 |
od PLN 0,22* za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 2 794,10* za szt. |
| 90% |
|
Tranzystor bipolarny 100mA PNP 65V SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor bipolarny, Typ=BC856BW, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie kolektor-emite... |
|
od PLN 0,18* za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 736,00* za szt. |
| 90% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 170mA, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123, Ciągły prąd drenu (Id)=170 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.4 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
|
od PLN 0,182* za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 65,63* za szt. |
| 90% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 200mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP231N02017R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP231N02017R-G |
od PLN 0,40* za szt. |
| 90% |
|
|
|
od PLN 25,56* za szt. |
| |
|
| ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) |