Tranzystor bipolarny, Typ=BC856BW, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=65 V, Napięcie nasycenia emitera bazy maks. (Vbe(sat))=850 mV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))=650 mV, Rozpraszanie mocy (Pd)=200 mW, Styki=3, Temperatura robocza, maks.=150 °C, Temperatura robocza, min.=-55 °C, Temperatura rozpływu maks.=260 °C, Wzmocnienie prądowe DC (hFE)=520, Biegunowość tranzystora=PNP, Konfiguracja=Pojedyncza, MSL=Poziom 1, Opakowanie=Taśma na szpuli, Typ mocowania=SMD, Typ obudowy=SOT-323, Motoryzacyjna norma kwalifikacyjna=AEC-Q101 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | MERCATEO_WA_NR: | 8541100000 | Kraj pochodzenia: | CN | Numer celny: | 8541100000 | Wysokość: | 2 mm | Waga netto: | 0,010 g | Głębokość: | 8 mm | Waga brutto: | 0,01 g | Szerokość: | 5 mm |
|