Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P THT

  Tranzystory z kanałem P THT (200 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 29...
IXYS
IXTP44P15T
od PLN 13,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 29...
IXYS
IXTH44P15T
od PLN 17,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTQ44P15T
od PLN 15,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -120A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX120P20T
od PLN 88,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -120A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTK120P20T
od PLN 84,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -32A; 300W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP32P20T
od PLN 21,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -32A; 300W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTH32P20T
od PLN 24,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -68A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 56...
IXYS
IXTH68P20T
od PLN 46,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -90A; 595W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
IXYS
IXTR120P20T
od PLN 97,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTH140P05T
od PLN 24,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTP140P05T
od PLN 18,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -32A; 83W; 26ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTP32P05T
od PLN 4,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -48A; 150W; 30ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W...
IXYS
IXTP48P05T
od PLN 8,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -120A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTH120P065T
od PLN 18,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -120A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTP120P065T
od PLN 13,90*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   14   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.