Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P THT

  Tranzystory z kanałem P THT (211 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; 240ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP26P20P
od PLN 15,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; 240ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTH26P20P
od PLN 12,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTQ26P20P
od PLN 16,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -30A; 190W; 260ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 93mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
IXYS
IXTR48P20P
od PLN 35,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; 260ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 46...
IXYS
IXTH48P20P
od PLN 29,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -53A; 312W; 315ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
IXYS
IXTR90P20P
od PLN 63,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -90A; 890W; 315ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 8...
IXYS
IXTX90P20P
od PLN 60,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -90A; 890W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890W...
IXYS
IXTK90P20P
od PLN 59,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; 414ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTP10P50P
od PLN 14,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; 414ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTH10P50P
od PLN 20,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...
IXYS
IXTQ10P50P
od PLN 16,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -13A; 190W; 406ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,49Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR20P50P
od PLN 35,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; 406ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 4...
IXYS
IXTH20P50P
od PLN 29,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -22A; 312W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR40P50P
od PLN 63,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -40A; 890W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX40P50P
od PLN 57,66*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   15   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.