Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P THT ---

  Tranzystory z kanałem P THT (64 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -53A; 312W; 315ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
IXYS
IXTR90P20P
od PLN 63,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -90A; 890W; 315ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 8...
IXYS
IXTX90P20P
od PLN 58,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -90A; 890W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890W...
IXYS
IXTK90P20P
od PLN 58,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; 414ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTP10P50P
od PLN 14,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; 414ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTH10P50P
od PLN 20,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...
IXYS
IXTQ10P50P
od PLN 16,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -13A; 190W; 406ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,49Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR20P50P
od PLN 36,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; 406ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 4...
IXYS
IXTH20P50P
od PLN 29,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -22A; 312W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR40P50P
od PLN 63,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -40A; 890W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX40P50P
od PLN 58,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -40A; 890W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890...
IXYS
IXTK40P50P
od PLN 58,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -10A; 190W; 440ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 440ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 790mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR16P60P
od PLN 36,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -18A; 310W; 480ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,385Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozprasza...
IXYS
IXTR32P60P
od PLN 63,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -32A; 890W; 480ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX32P60P
od PLN 57,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -110A; 270W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR140P10T
od PLN 59,04*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   Wszystkie    strona: Powrót   1   2   3   4   5   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.