Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 038 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W Polaryz...
Infineon
IMW65R072M1HXKSA1
od PLN 13,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W Polar...
Infineon
IMZA65R072M1HXKSA1
od PLN 13,289*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W (2 ofert) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 103W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SCT3120ALGC11
od PLN 21,213*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polary...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
od PLN 22,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pola...
Infineon
IMZA65R048M1HXKSA1
od PLN 16,813*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Polar...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC080
od PLN 18,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Polaryzacja: unipola...
onsemi
NTHL075N065SC1
od PLN 25,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0060065K
od PLN 38,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0060065D
od PLN 38,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3080ALGC11
od PLN 40,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Polar...
ROHM Semiconductor
SCT3080ARC14
od PLN 47,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M60065Q
od PLN 33,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; 165W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT3060ALGC11
od PLN 62,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W Polary...
Infineon
IMW65R027M1HXKSA1
od PLN 49,121*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 78mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3060ARC14
od PLN 54,49*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.