Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-LGE3M60065Q
Producent:
     LUGUANG ELECTRONIC
Nr producenta:
     LGE3M60065Q
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: LUGUANG ELECTRONIC
Montaż: THT
Obudowa: TO247-4
Napięcie dren-źródło: 650V
Prąd drenu: 36A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 208W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wyprowadzenie Kelvina
Ładunek bramki: 78nC
Technologia: SiC
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: -4...18V
Prąd drenu w impulsie: 97A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 32,82*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 57,65*
PLN 70,91
za szt.
od 2 szt.
PLN 57,26*
PLN 70,43
za szt.
od 3 szt.
PLN 51,49*
PLN 63,33
za szt.
od 5 szt.
PLN 49,59*
PLN 61,00
za szt.
od 10 szt.
PLN 42,11*
PLN 51,80
za szt.
od 20 szt.
PLN 41,39*
PLN 50,91
za szt.
od 30 szt.
PLN 39,73*
PLN 48,87
za szt.
od 120 szt.
PLN 37,26*
PLN 45,83
za szt.
od 3000 szt.
PLN 32,82*
PLN 40,37
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.