Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 037 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0060065K
od PLN 35,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0060065D
od PLN 36,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3080ALGC11
od PLN 39,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Polar...
ROHM Semiconductor
SCT3080ARC14
od PLN 46,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M60065Q
od PLN 31,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; 165W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT3060ALGC11
od PLN 59,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W Polary...
Infineon
IMW65R027M1HXKSA1
od PLN 49,121*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 78mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3060ARC14
od PLN 53,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 78mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT3060ALHRC11
od PLN 62,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M35065Q
od PLN 53,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W Pola...
Infineon
IMZA65R027M1HXKSA1
od PLN 42,044*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 550W Polar...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC049
od PLN 32,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065Q
od PLN 59,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 348W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065B
od PLN 48,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 348W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065Q
od PLN 48,70*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.